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에이프로세미콘이 무선주파수(RF) 반도체에 쓰이는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 개발에 성공했다
mit 연구진이 기존 실리콘 cmos 칩 위에 고성능 질화갈륨(gan) 트랜지스터를 저비용·저온 공정으로 집적하는 새로운 제조 기술을 개발했다. 이 기술은 차세대 전력 반도체와
질화갈륨(GaN) RF 반도체 및 방산 전문기업 ㈜웨이비스(대표이사 한민석)는 11일부터
웨이브로드가 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN) 에피택시 웨이퍼 국산화에 다가서고
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질화갈륨(GaN) RF 반도체·방산 기업 웨이비스는 11일부터 13일까지 제주국제컨벤션센터
질화갈륨(GaN) RF 반도체 및 방산 전문기업 웨이비스(289930)는 11일부터 13일까지 제주국제컨벤션센터에서 열리는 '2025년 한국군사과학기술학회 종합학술대회'에 참가해
질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이가 국내 최초로 650급 GaN 전력반도체 양산을 시작한다고 밝혔다. 칩스케이는 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN) 기술 기
질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계(팹리스)기업 칩스케이가 국내 최초로 650볼트(V)급 G
국내 유일의 질화갈륨(GaN) RF 반도체 양산 역량을 갖춘 방산 전문기업 웨이비스(289930)가 대한민국 해군의 차세대 호위함 FFX Batch-IV(울산급 배치-IV) 양산에
웨이비스가 해군의 차세대 호위함 사업에 참여한다. 웨이비스는 질화갈륨(GaN) 기반 RF

[출처] https://stockinfo7.com/news/search



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