삼성전자가 로직 반도체의 집적도 한계를 수직 적층 기술로 돌파했다. 메모리 반도체에서 활용하던 적층 개념을 로직 반도체 트랜지스터에 적용해 단위 면적당 집적도를 높이는 새로운 구조

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