[투데이에너지 장재진 기자] 삼성전자가 3월 16일( 현지 시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 행사에서 1세대 D램 공정 기반의 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를

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